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Fertigungsgröße

Begonnen von San04, 19. Dezember 2004, 14:47:30 Uhr

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San04

Hallo,
Die Fertigungsgröße eines Chips wird in Nanometern (nm) angegeben, aber was genau ist dann z.B. 130nm groß,oder lang?
Und sollte man große oder kleine Werte bevorzugen?
VIELEN  DANK

Mfg
San

Spider-Mann

19. Dezember 2004, 15:22:29 Uhr #1 Letzte Bearbeitung: 19. Dezember 2004, 15:25:06 Uhr von Spider-Mann
Das ist kein direktes Maß auf dem Chip, sondern die Wellenlänge des Lasers, mit dem im Fertigungsprozess gearbeitet wird.

Es heißt auch nicht Fertigungsgröße sondern Fertigungsprozess, z.B. 130nm-Fertigungsprozess.

Aus der Wellenlänge des verwendeten Lasers resultieren dann natürlich Mindestmaße auf dem Chip,
die aber nicht zwangsläufig mit der Wellenlänge übereinstimmen müssen.
Wrote with 100% recycled Bits.

Wer Rechtschreibfehler findet darf sie behalten.
Sie sind OpenSource und dürfen von jedem in beliebiger Form benutzt und verändert weden.
Wenn Autofahren verboten ist nachdem man Alkohol getrunken hat, warum haben Bars und Kneipen dann Parkplätze?

San04

Heißt das, das eine geringere Wellenlänge besser ist?
Ich bin mir unsicher, ob ich den Athlon 64 3000+ S.939 als
Winchester (90 nm) (http://www.toppreise.ch/prod_52338.html) oder als
Newcastle (130 nm) (http://www.toppreise.ch/prod_50384.html) nehmen soll.
Beiden laufen auf 1800 Mhz, welcher ist besser?

Vielen Dank für die bisherige Auskunft.
Mfg
San

Spider-Mann

19. Dezember 2004, 17:25:15 Uhr #3 Letzte Bearbeitung: 19. Dezember 2004, 17:31:20 Uhr von Spider-Mann
Davon Habe ich zwar nicht die allermeiste Ahnung,
aber such doch mal hier im Forum nach "Winchester",
das ist glaube ich der bessere.

[Edit]
http://www.hwe-forum.de/index.php/topic,7434.0.html

http://www.hwe-forum.de/index.php/topic,7621.msg53401.html#msg53401
[/Edit]
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San04

Besten Dank,
hab nen guten thread gefunden.
Ist wohl so:
je kleiner der Fertigungsprozess, desto geringer der Stromverbrauch.
Und das ist wieder besser zum OC.
Also werd ich den Winchester (90 nm) nehmen.

Perfect Pascha

die einheit nm gibt die strukturgröße an. der fertigungsprozess kann variieren. IBM zum beispiel nutzt zur zeit SOI technik, im 130nm als auch im 90nm verfahren.
was besser bzw. schlechter ist kann man nicht direkt sagen. generell sind kleine stuckturen besser, da die signallaufzeiten sinken, man braucht weniger spannung, etc. allerdings steigen beim 90nm verfahren die leckströme erheblich, daher ziehen viele 90nm CPUs der ersten generationen mehr als ihre 130nm vorgänger. einzig AMDs winchester verbraucht nun unter volllast 20Watt weniger, im Idle betrieb jedoch 3Watt mehr.

der winchester ist mal langsamer und mal schneller als der newcastle, allerdings lässt er sich besser übertakten und braucht weniger elektrische leistung. für mich ein klarer kaufgrund. 2,5GHz sind beim winni keine seltenheit mehr!

EDIT: Too late *g
Die Grenzen des Möglichen lassen sich nur dadurch bestimmen,
dass man sich ein wenig über sie hinaus ins Unmögliche wagt.

!!! Mein System !!!

Microsoft is not the answer, it's the question and the answer is NO

San04

noch nicht zu spät  :D Hol ihn mir morgen....
aber auch vielen Dank an Pascha.
Ihr habt mich überzeugt. Dann wirds wohl der Winchester.
Aber was genau ist jetzt die strukturgröße?
Die Dicke der Leiterbahnen?

Spider-Mann

19. Dezember 2004, 18:20:16 Uhr #7 Letzte Bearbeitung: 19. Dezember 2004, 18:22:49 Uhr von Spider-Mann
Lies mal hier:

http://www.heise.de/newsticker/meldung/29902

http://www.heise.de/newsticker/meldung/13036
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San04

Sehr interessant, überfordert mich jetzt allerdings etwas......
Aber dann geht es doch um die Dicke der Leiterbahnen (oder Gates).
hab ich das richtig verstanden ???

Spider-Mann

Schon, aber 90nm-Prozess heißt nicht, daß ein Gate 90nm breit ist.
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San04

19. Dezember 2004, 18:51:25 Uhr #10 Letzte Bearbeitung: 19. Dezember 2004, 18:53:53 Uhr von San04
was denn dann?
Ich hab das so verstanden, das ein Gate einen Durchmesser von 90 nm hat.
Sieht auch in den Zeichnungen so aus.
http://www.heise.de/bilder/13036/0/0
http://www.heise.de/bilder/29902/0/0
obwohl darüber steht es ist ein 90 nm Generation Transistor
und im bild darunter sind 50 nm eingezeichnet

Spider-Mann

19. Dezember 2004, 18:56:30 Uhr #11 Letzte Bearbeitung: 19. Dezember 2004, 19:05:06 Uhr von Spider-Mann
http://www.heise.de/newsticker/meldung/13036
Zitieren
Der 0,13-µm-Prozess, in dem der kommende "Tualatin" (wie bereits berichtet) produziert werden soll, kann ein Transistorgate (Bild) auf bis zu 70 nm (0,07 µm) verkleinert werden.

Hier vielleicht:
http://www.zdnet.de/enterprise/client/0,39023248,39127685,00.htm
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